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    光彈調(diào)制器

    簡(jiǎn)要描述:Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時(shí)也是世界*的一家)(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調(diào)制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):代理商
    • 更新時(shí)間:2021-06-02
    • 訪  問  量:3333
    詳細(xì)介紹
    產(chǎn)地類別進(jìn)口

    光彈調(diào)制器

    美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時(shí)也是世界*的一家)光彈調(diào)制器(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。(PEM)的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片”,可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差,從而控制透過光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即,(photoelastic modulators)通過對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化,同時(shí)(PEM)還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。

    對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括:

     

    ?    非常大通光孔徑(15到30mm,標(biāo)準(zhǔn)),同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率

    ?    超大接受角度(市場(chǎng)角)范圍(+/- 20°)

    ?    波長(zhǎng)覆蓋范圍大(170nm~10um,F(xiàn)IR~THZ)

    ?    高損傷閾值

    ?    可精確控制相位延遲

     

    美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸,同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容(當(dāng)這些有需要的時(shí)候)。

     

    需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理,請(qǐng)點(diǎn)擊這里

     

    應(yīng)用舉例:

    在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf

     

    Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列:

     

    Series I 系列使用矩形光學(xué)原件,波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。

    Series II系列使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件,波長(zhǎng)覆蓋可見和紅外(到中紅外)頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。

     

    Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料,材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

     

     

    TABLE 1

     

     

    SPECTRAL REGION

    SERIES

    MATERIAL

    Vacuum UV, UV

    I

    Lithium Fluoride

    Vacuum UV to mid-IR

    I,II

    Calcium Fluoride

    Vacuum UV to near-IR

    I,II

    Fused Silica

    Mid-visible to mid-IR

    II

    Zinc Selenide

    Near- to mid-IR

    II

    Silicon

     

     

    相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件,Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下,相位延遲量更少。在紅外波段,這是一個(gè)缺點(diǎn),但是在紫外波段,尤其是真空紫外,這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。

     

    八角形(Series II)光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率,因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量(例如:深紫外)或許會(huì)造成一些問題。

     

     

    可選選項(xiàng)(規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖儯斍樵儐栮涣抗怆姷墓こ處煟?/span>

     

    • ?    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上,窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
    • ?    請(qǐng)昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
    • ?    無干涉選項(xiàng),Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑,因此消除了調(diào)制器干涉
    • ?    特殊頻率,Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
    • ?    特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜,Model SLHH
    • ?    特殊調(diào)制頭附件,Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
    • ?    真空操作。PEM可用于真空環(huán)境,詳情請(qǐng)?jiān)儐朒inds
    •            磁場(chǎng)兼容選項(xiàng),Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料,用于強(qiáng)磁場(chǎng)中

      基本指標(biāo)

     

    Model

    Optical Material

    Nominal

    Frequency

    Retardation Range

    Useful

    Aperture1

    Quarter Wave

    Half Wave

    I/FS50

    Fused Silica

    50 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    16mm

    I/FS20

    Fused Silica

    20 KHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    22mm

    I/CF50

    Calcium Fluoride

    50 kHz

    130nm - 2μm

    130nm - 1μm

    16mm

    II/FS20A

    Fused Silica

    20 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    56mm

    II/FS20B

    Fused Silica

    20 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    56mm

    II/FS42A

    Fused Silica

    42 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    27mm

    II/FS42B

    Fused Silica

    42 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    27mm

    II/FS47A

    Fused Silica

    47 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    24mm

     

    II/FS47B

    Fused Silica

    47 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    24mm

    II/FS84

    Fused Silica

    84 kHz

    800nm - 2.5μm

    400nm - 2.5μm

    13mm

    II/IS42B

    Fused Silica

    42 kHz

    1.6μm - 3.5μm

    800nm - 2.5μm

    27mm

    II/IS84

    Fused Silica

    84 kHz

    800nm - 3.5μm

    400nm - 1.8μm

    27mm

    II/CF57

    Calcium Fluoride

    57 kHz

    2μm - 8.5μm

    1μm - 5.5μm

    23mm

    II/ZS37

    Zinc Selenide

    37 kHz

    2μm - 18μm

    1μm - 9μm

    19mm

    II/ZS50

    Zinc Selenide

    50 kHz

    2μm - 18μm

    1μm - 10μm

    14mm

    II/SI40

    Silicon

    40 kHz

    FIR - THz

    FIR - THz

    36mm

    II/SI50

    Silicon

    50 KHz

    FIR - THz

    FIR - THz

    29mm

     

    美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻(xiàn)請(qǐng)參考:http://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

     

    光彈調(diào)制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf

    在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用.pdf

    應(yīng)用的Mueller矩陣分析.pdf

    式多通道反射差分光譜技術(shù).pdf

    定標(biāo)新方法.pdf

    光彈調(diào)制差分反射分析系統(tǒng)的建立與應(yīng)用.pdf

    使用測(cè)量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

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