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脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測(cè)用）

簡(jiǎn)要描述：脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測(cè)用）優(yōu)勢(shì)：有通過(guò)定制，峰值功率定制可達(dá)10 W。一般測(cè)量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下，可以很容易地影響你的芯片，即使是很厚的硅

產(chǎn)品型號(hào)：

廠商性質(zhì)：代理商

更新時(shí)間：2021-08-20

訪問(wèn) 量：1495

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,電子/電池	高峰值功	>50KW（>250KW可定制）

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測(cè)用）

此系列激光器為單模激光器，通過(guò)內(nèi)置從輸入的TTL/LVTTL數(shù)字信號(hào)中產(chǎn)生光脈沖。

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測(cè)用）脈沖長(zhǎng)度從1.5 ns -CW 連續(xù)可調(diào)，脈沖重頻從單脈沖- 250 MHz可調(diào)

對(duì)于針對(duì)應(yīng)用（熱激光刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),芯片存儲(chǔ)讀取（BBRAM, SRAM）），有著如下特別優(yōu)勢(shì):

需求：需要盡可能小的光斑來(lái)加工待測(cè)芯片的集中部分，并定位正作用的芯片具體位置。

優(yōu)勢(shì)：激光器為單模激光器。輸出纖芯尺寸為6μm，通過(guò)配套顯微鏡，可以將它聚焦到1μm以內(nèi)，提高能流密度

需求：需要時(shí)間精度和時(shí)間靈活性來(lái)使激光脈沖與待測(cè)芯片同步

優(yōu)勢(shì)：每個(gè)激光器抖動(dòng)小于8 ps。從而可以將PDM+與芯片同步，并在+/8ps時(shí)知道激光脈沖何時(shí)到達(dá)樣品。可以選擇從1.5納秒到連CW 脈沖以及從單次發(fā)射到250兆赫的任何脈沖

芯片硅很厚，需要高功率

優(yōu)勢(shì)：有通過(guò)定制，峰值功率定制可達(dá)10 W。一般測(cè)量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下，可以很容易地影響你的芯片，即使是很厚的硅

可靠性和產(chǎn)品支持

優(yōu)勢(shì)：該系列激光器都是光纖設(shè)計(jì)激光器。沒(méi)有光學(xué)移動(dòng)部件或損失的風(fēng)險(xiǎn)。該模塊是電子安全的，不會(huì)因操作不當(dāng)而損壞。

PDM - HPP系列激光器參數(shù)

主要特征：

PDM HP 系列參數(shù)

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測(cè)用）